"Мы реализовали комбинацию электронной структуры графена и графеноподобного монослоя GaSe в ультратонкой гетероструктуре и показали, что ее электронные свойства хорошо сохраняются. В гетероструктуре формируется контакт Шоттки n-типа с высотой барьера Шоттки 0,86 эВ, который может эффективно управляться внешним электрическим полем, внутриплоскостными напряжениями и межслойным взаимодействием", – рассказал профессор кафедры физики ДГТУ Виктор Илясов.
Результаты исследований опубликованы в научных журналах Journal of Alloys and Compounds, Superlattices and Microstructures и Vacuum. По мнению ученых, они важны как для разработки гетероструктур на основе интерфейса графен/g-GaSe, так и для понимания физических свойств двумерных ван-дер-ваальсовских гетероструктур из графена.
ДГТУ стал первым вузом России, получившим в феврале 2018 года статус опорного университета региона. Опорный университет должен стать центром инновационного развития Ростовской области.
Vzglyad.az
Читайте актуальные новости и аналитические статьи в Telegram-канале «Vzglyad.az» https://t.me/Vzqlyad
Тэги:
